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2021年兩院院士增選結果揭曉,這四人研究領域跟照明相關!
發布時間:2021-11-23     閱讀:1081


11月18日,中國科學院、中國工程院院士增選結果揭曉。2021年中國科學院選舉產生了65名中國科學院院士和25名中國科學院外籍院士。中國工程院新增產生84位中國工程院院士和20位中國工程院外籍院士。


據悉,跟照明領域相關的入選院士為四人,分別是:清華大學羅毅教授當選為中國工程院信息與電子工程學部院士;東北師范大學校長劉益春、中國科學院半導體研究所鄭婉華、祝寧華研究員當選中國科學院信息技術科學部院士。


羅毅


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清華大學教授、中國工程院院士


羅毅,男,出生于1960年2月,1983年畢業于清華大學無線電電子學系電子物理與激光專業。清華大學教授,工學博士。


2021年4月23日,入選中國工程院2021年院士增選有效候選人名單, 6月2日,進入第二輪評審候選人名單。2021年10月18日當選中國工程院院士。


羅毅分別于1987年和1990年在日本東京大學工學部電子工學科獲工學碩士與博士學位,1990年4月-1992年3月在日本光計測技術開發株式會社中央研究所任研究員。1992年4月回國,同年因學術成就突出被破格提升為清華大學電子工程系教授,1995年晉升為博士生導師?,F擔任集成光電子學國家重點聯合實驗室主任、清華大學實驗區主任(該重點實驗室在2002年由科技部組織的包括計算機、軟件、信息材料與器件等所有36個信息類國家重點實驗室的評估中獲第一名)。曾任國際電機電子工程師學會主辦的量子電子學雜志編委(Associate Editor of IEEE Journal ofQuantum Electronics,1996-1998)。


2002年,羅毅教授負責的2500萬元的GaN藍光發光管的研究與開發項目通過了鑒定;建設了包括德國AIXTRON公司MOCVD設備在內的GaN材料與器件研究基地,自行研制的藍色發光二極管獲得突破,15000余個器件的測試結果表明,器件的典型工作特性與國際上高亮度發光二極管的市場水平基本相當。


2003年,正式在深圳研究生院建立了以羅毅教授為實驗室主任的半導體照明實驗室,主要從事大功率照明用LED的封裝技術研究,從而建成了從芯片外延到器件封裝的一整套研究平臺??萍疾繂恿税雽w照明工程后,羅毅教授被選為專家組成員。


羅毅教授主要從事半導體光電子器件方面的研究工作,其中包括器件物理與設計,化合物半導體材料的外延生長技術、全息光柵的制作技術、器件制作工藝技術、材料與器件特性的評價技術。


近幾年來的研究重點是分布反饋半導體激光器及單片光子集成器件,是增益耦合DFB激光器——國際公認的優秀光源的開創者之一,他也是國內最早從事DFB激光器與電吸收調制器單片集成研究的科學家。


劉益春


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東北師范大學校長、中國科學院院士


劉益春,男,漢族,1962年12月生,吉林輝南人,中共黨員,教授,博士生導師,中國科學院院士。


第十二、十三屆全國人大代表,中國高教學會常務理事、高等教育管理研究會副會長,第四屆全國教師教育課程資源專家委員會主任委員, 第七屆教育部科技委數理學部委員,國務院學位委員會第八屆學科評議組成員,吉林省科協副主席?,F任國際發光會議(ICL)程委會委員(2020大會主席),國際II-VI族化合物材料會議顧委會委員,中國科學院長春光機所發光與應用國家重點實驗室學術委員會委員,浙江大學硅材料國家重點實驗室學術委員會委員,中國真空學會常務理事,《InfoMat》副主編,吉林省照明學會第二屆專家委員會副主任委員、專家庫專家。國家杰出青年科學基金獲得者,中國科學院百人計劃,教育部跨世紀優秀人才,全國模范教師。


研究主要集中在:光電子功能材料與器件;低維體系材料與物性;存儲材料與器件;納米生物學效應與應用;光電轉化材料與器件;新型導電材料與物性等。


發明了熱氧化Zn3N2單晶薄膜制備p型ZnO的方法,成功制備出p型ZnO薄膜,該方法已被國際公認為制備p-ZnO的方法之一;利用微腔的光增益效應和納米結構的量子限制效應,獲得了在高溫下(560 oC)仍具有高效紫外發射的納米薄片材料,深入研究了材料的結構與高壓相變行為,為進一步研制高溫光電子器件奠定了基礎;通過在p-GaN/n-ZnO異質結中引入i-ZnO層, 構造p-GaN/i-ZnO/n-ZnO新型結構,成功研制出室溫近紫外發射的ZnO異質結紫外發光二極管。


發明了電子回旋共振(ECR)微波等離子體氮化制備高質量SiN薄膜的方法;根據縱向光學聲子對P偏振紅外強烈吸收的原理,建立和發展了利用P偏振紅外反射吸收光譜表征超薄SiO2的方法。


在國際上提出了無形變sp2π-Cluster是發光中心的觀點。提出了N進入sp3 網絡引起配位數減少導致應力釋放的重要結果;提出了N的橋作用以及sp2π-Cluster團簇及其它的各種形變決定能隙的大小;在國際上提出并證實了N進入a-C:H網絡中引起C-H鍵的弱化和網絡的不穩定性。


近年來在Adv. Mater., Phys. Rev. B., J. Phys.Chem.B, J. Chem. Phys., Appl. Phys. Lett, Optics Lett., 等雜志上發表SCI論文150余篇,發表論文被SCI他引800余次,獲國家發明專利8項。應邀為美國《納米科學與技術百科全書》撰寫“低維氧化鋅納米結構和納米異質結生長”專題。國內學術會議邀請報告9次,國際學術會議報告8次。


主持國家自然科學基金,中國科學院“百人計劃”項目,國家杰出青年科學基金項目,國家“十一五”“863”課題、國家“十五”“863”子課題、教育部重大創新培育項目等多項課題。


鄭婉華


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中國科學院半導體研究所研究員、中國科學院院士


鄭婉華,女,中國科學院半導體研究所研究員,中國科學院固態光電信息技術重點實驗室主任。山東大學光學系學士,中國科學院物理研究所碩士,香港浸會大學博士,澳大利亞新南威爾士大學博士后。


主要從事人工微結構材料和半導體激光研究,她2003年回國后,最先向科技部建議在我國研究高性能光子晶體激光,并在國內率先突破激光激射,發展了從光子晶體能帶調控、光子晶體激光結構設計、材料生長到芯片制造的全鏈條自主可控技術體系,在高性能光子晶體激光器基礎原理和關鍵技術方面做出了開創性和系統性貢獻。2010年度獲國家杰出青年基金資助,2013年享受政府特殊津貼,2014年入選國家百千萬人才工程,2019年入選山東省泰山學者特聘專家,2020年任國務院學位委員會第八屆學科評議組成員。


她培養博士和碩士40余名,學生曾獲中國科學院院長特別獎、博士研究生國家獎學金、朱李月華優秀博士生獎學金、寶鋼優秀學生獎學金和德國洪堡基金等,本人也獲“中國科學院優秀導師”獎和“優秀研究生指導教師”獎等。作為第一完成人,獲得2013年度北京市科學技術獎二等獎、2017年度國家技術發明獎二等獎、2017年度中國光學工程學會科技創新獎一等獎、2018年度中國專利金獎和2020年度部委科學技術進步獎一等獎。2021年當選為中國科學院信息技術科學部院士。


近年來,在硅基光子晶體和激光產生研究方面,采用硅基納米結構材料,實現高Q值的光子晶體微腔,首次在國際上采用硅基光子晶體寬帶隙材料,實現可見光的鎖模脈沖激射,上述工作被作為前沿技術進展分別在Laser Focus World(2003.2)、Photonics等雜志報道;在III-V族半導體材料與器件的研究方面,在國內首次實現InP基光子晶體面發射、邊發射微腔激光器的突破;在光子集成新技術方面,研制出國內首臺具有自主知識產權的晶片鍵合、清洗系統。作為項目負責人和主要完成人承擔和完成了"九.五"863、"十.五"863、自然科學基金等項目。發表論文八十余篇,擁有美國專利一項,申請國內專利十余項。作為課題負責人承擔多項國家任務。


祝寧華


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中國科學院半導體研究所研究員、


雄安創新研究院院長、中國科學院院士


祝寧華,中國科學院半導體研究所研究員。1990年畢業于電子科技大學,獲學士、碩士和博士學位,1994年在中山大學晉升教授;1994年在香港城市大學任研究員(Research Fellow);1996年在德國西門子任客座科學家(洪堡學者);1998年入選“中國科學院高層次引進人才計劃”到中國科學院半導體研究所工作,曾任副所長(法定代表人),1998年獲“國家杰出青年科學基金”。2019年5月任中國科學院雄安創新研究院籌建組組長,現任雄安創新研究院院長。2021年當選為中國科學院信息技術科學部院士。


祝寧華專注于微波光子器件與技術的研究,在高速激光器芯片和模塊研究、光生微波新機制探索方面取得具有重要實用價值的創新成果。作為第一完成人獲國家技術發明二等獎2項、省部級一等獎3項,以及光華工程科技獎和中科院杰出成就獎(個人)等獎項。在Nature Commun.和Light等刊物上發表SCI論文283篇(第一作者50篇),受邀在IEEE-JSTQE,IEEE-JQE和JLT等刊物上撰寫8篇特邀文章,第一作者出版著作3部;獲授權發明專利120多件(其中美國專利6件);曾任國家863計劃微電子與光電子主題專家,國家基金委國際合作咨詢專家組和信息科學部專家評審組成員,現任國家重點專項“光電子與微電子器件及集成”專家組組長。


文章轉載自:中國之光網

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